Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | A. V. Karimov, D. M. Jodgorova, F. A. Gijasova, M. A. Mirdzhalilova, G. O. Asanova, O. A. Abdulkhaev, Zh. F. Mukhutdinov |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2013
|
| Schriftenreihe: | Technology and design in electronic equipment |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000404955 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
von: D. M. Jodgorova, et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: D. M. Jodgorova, et al.
Veröffentlicht: (2009)
Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Functional characteristics of the field-effect transistor with control pn-junction with different switching modes
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon
von: N. I. Karas
Veröffentlicht: (2014)
von: N. I. Karas
Veröffentlicht: (2014)
Silicon photodiode and preamplifier operation characteristic properties under background radiation conditions
von: Hodovaniouk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Hodovaniouk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Shunt current in InAs diffused photodiodes
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Shunt current in InAs diffused photodiodes
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Phototransistor composite on field effect transistors
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
von: Voronkin, E.F., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Voronkin, E.F., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
von: M. S. Kukurudziak, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: M. S. Kukurudziak, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Research of the photo-electric characteristics microphototerminal
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2006)
Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
von: D. M. Jodgorova, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: D. M. Jodgorova, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Combined detectors of charged particles based on zinc selenide scintillators and silicon photodiodes
von: Ryzhikov, V.D., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Ryzhikov, V.D., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Dynamic characteristics of the rectifier with pulse width modulation
von: Ja. V. Shcherbak, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ja. V. Shcherbak, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
von: M. S. Kukurudziak
Veröffentlicht: (2023)
von: M. S. Kukurudziak
Veröffentlicht: (2023)
Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
von: Madatov, R.S., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Madatov, R.S., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
von: Dobrovolskyi, Yu., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Dobrovolskyi, Yu., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
von: Yu. Dobrovolskyi, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Yu. Dobrovolskyi, et al.
Veröffentlicht: (2014)
CHARACTERISTICS OF SPECIALIZED SINGLE-PHASE HIGH VOLTAGE DOUBLER RECTIFIER
von: Brzhezitsky, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Brzhezitsky, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Characteristics of specialized single-phase high voltage doubler rectifier
von: Brzhezytskyi, V.O., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Brzhezytskyi, V.O., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2011)
InAs photodiodes (review)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
von: Moradi, M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Moradi, M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Heterostructure infrared photodiodes
von: Rogalski, A.
Veröffentlicht: (2000)
von: Rogalski, A.
Veröffentlicht: (2000)
Quality characteristics of single-phase bridge rectifier with active load and capacitary filter for power from the current source
von: V. M. Spirin, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: V. M. Spirin, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Control characteristics of active four-quadrant converter in rectifier and recovery mode
von: Ya. V. Shcherbak, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Ya. V. Shcherbak, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Peculiarities of physical processes of formation of silicon surface-barrier structures
von: G. P. Gaidar, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: G. P. Gaidar, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
von: I. B. Sapaev, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: I. B. Sapaev, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon
von: Vakulenko, O.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Vakulenko, O.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Investigation of the saturation effect of the drain current of a field-effect transistor with series-connected channels
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Combined controlled rectifiers of single-phase power supply
von: V. I. Zozulev, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: V. I. Zozulev, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Performance limits of terahertz zero biased rectifying detectors for direct detection
von: Golenkov, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Golenkov, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Performance limits of terahertz zero biased rectifying detectors for direct detection
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2016)
High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
von: M. S. Kukurudziak, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: M. S. Kukurudziak, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Features of the processes of change of output voltage regulators rectified current built of transformer-and-switches executive structure
von: K. O. Lypkivskyi, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: K. O. Lypkivskyi, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ähnliche Einträge
-
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
von: D. M. Jodgorova, et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2014)