SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | V. P. Popov, V. P. Sidorenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000404956 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers
за авторством: Korolev, O. M., та інші
Опубліковано: (2013) -
Ultra-Low-Noise Operation of Broadband Uncooled PHEMT Amplifier in Ultrahigh-Frequency Band
за авторством: Korolev, O. M., та інші
Опубліковано: (2013) -
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004) -
Peculiarities of HEMT Ultra-Low-Noise Amplifier Implementation at Non-Сryogenic Сooling Level
за авторством: Korolev, O. M., та інші
Опубліковано: (2013) -
Application of Wavelet Analysis to Problem of Ultra-Wideband Signal Detection on Noise Background
за авторством: Lazorenko, O. V., та інші
Опубліковано: (2013)