Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | Ja. Ja. Kudrik, R. I. Bigun, Ja. Kudrik |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000404958 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors
за авторством: Ja. Ja. Kudrik
Опубліковано: (2013) -
Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015) -
Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014) -
Analysis of the growth kinetics of primary silicon Crystals in hypereutectic silumins by the modification of silicon Carbide powder
за авторством: Ja. Ju. Dmitrishina
Опубліковано: (2014) -
Production of ultradispersed crystalline silicon carbide by plasmodynamic synthesis
за авторством: A. A. Sivkov, та інші
Опубліковано: (2013)