Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | Ja. Ja. Kudrik, R. I. Bigun, Ja. Kudrik |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000404958 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors
за авторством: Ja. Ja. Kudrik
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik
Опубліковано: (2013)
Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)
Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014)
Analysis of the growth kinetics of primary silicon Crystals in hypereutectic silumins by the modification of silicon Carbide powder
за авторством: Ja. Ju. Dmitrishina
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ja. Ju. Dmitrishina
Опубліковано: (2014)
Production of ultradispersed crystalline silicon carbide by plasmodynamic synthesis
за авторством: A. A. Sivkov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. A. Sivkov, та інші
Опубліковано: (2013)
Electroarc synthesis and cleaning from carbon impurities of cubic silicon carbide in the air atmosphere
за авторством: Ja. Pak, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ja. Pak, та інші
Опубліковано: (2018)
Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
Research and development of material based on silicon carbide for die feeder device on the manufacturing of basalt fibers
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)
A silicon carbide thermistor
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Technology of manufacturing the reliable silicon photoconverters with long operation time
за авторством: Guseynov, N.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Guseynov, N.A., та інші
Опубліковано: (2005)
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)
The Prospects of Solar Silicon Manufacture Technology by Quartz Sand with Pyrocarbon Reduction
за авторством: B. I. Bondarenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: B. I. Bondarenko, та інші
Опубліковано: (2012)
On melting of silicon carbide under pressure
за авторством: P. S. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. S. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)
Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of sintering temperature and applied pressure on the properties of boron carbide- silicon carbide composites
за авторством: Ya. Z. Aygьzer, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Ya. Z. Aygьzer, та інші
Опубліковано: (2021)
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
Saturation of capillary pores in silicon carbide briqettes with liquid-phase carbon-containing solutions before the reaction-sintering
за авторством: V. G. Kulich, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. G. Kulich, та інші
Опубліковано: (2016)
Light scattering in silicon carbide nanocrystalline films
за авторством: Lopin, A.V.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Lopin, A.V.
Опубліковано: (2008)
Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Research of the influence of silicon impregnation on the structure and properties of hot-pressed silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2020)
Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Features of the structure formation of secondary silicon carbide synthesized under conditions of the interaction of nano-sized nonstoichiometric silicon carbide with iron oxide
за авторством: Ya. H. Tymoshenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ya. H. Tymoshenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Production and properties of hot-pressed materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
Structure formation in silicon carbide–alumina composites during electroconsolidation
за авторством: E. S. Hevorkian, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: E. S. Hevorkian, та інші
Опубліковано: (2022)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)
Technology for manufacturing thermoelectric microthermopiles
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2016)
A mechanism of diamond-abrasive finishing of monocrystalline silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013)
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
Peculiarities of obtaining nanostructured silicon carbide particles from bamboo chips
за авторством: D. K. Do, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. K. Do, та інші
Опубліковано: (2014)
Optical properties of silicon carbide obtained by direct ion deposition
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Схожі ресурси
-
Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors
за авторством: Ja. Ja. Kudrik
Опубліковано: (2013) -
Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015) -
Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014) -
Analysis of the growth kinetics of primary silicon Crystals in hypereutectic silumins by the modification of silicon Carbide powder
за авторством: Ja. Ju. Dmitrishina
Опубліковано: (2014) -
Production of ultradispersed crystalline silicon carbide by plasmodynamic synthesis
за авторством: A. A. Sivkov, та інші
Опубліковано: (2013)