Thick layers liquid-phase epitaxy method
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | S. N. Dranchuk, V. A. Zavadskij, V. A. Mokritskij |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405015 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Liquid phase epitaxy and properties of nanoheterostruc-tures based on the III–V compounds
за авторством: I. E. Maronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. E. Maronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Phase method of ultrasonic thickness measurement
за авторством: Yu. V. Kuts, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yu. V. Kuts, та інші
Опубліковано: (2013)
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)
Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
Electromigration effects at epitaxial growth of thin films: Phase-field modeling
за авторством: A. V. Dvornychenko
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. V. Dvornychenko
Опубліковано: (2021)
Electromigration effects at epitaxial growth of thin films: Phase-field modeling
за авторством: A. V. Dvornichenko
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. V. Dvornichenko
Опубліковано: (2021)
Measurement of thicknesses of optically transparent layered structures by the spectral interferometry method
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2017)
Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Surface layers and thickness dependences of the thermoelectric properties of the steam-phase condensates of the last on the sieve
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2015)
Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)
Adsorption of ions and thickness dependence of conductivity in liquid crystals
за авторством: O. V. Kovalchuk
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. V. Kovalchuk
Опубліковано: (2011)
Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model
за авторством: Z. Z. Alisultanov
Опубліковано: (2013)
за авторством: Z. Z. Alisultanov
Опубліковано: (2013)
Quantum electrical capacitance of epitaxial graphene
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2015)
On possibility of alpha-radioactive thick-layer waste analysis using high-vacuum technique methods
за авторством: Dikiy, N.P., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Dikiy, N.P., та інші
Опубліковано: (2002)
Magnetic method for determination of the thickness of protective concrete layer and diameter of rebars of building structures
за авторством: A. P. Gusev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. P. Gusev, та інші
Опубліковано: (2017)
Interdiffusion in EuS -based epitaxial superlattice nanostructures
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)
Modified backscattering method of the nanometer self-supporting films and surface layers thickness measurements
за авторством: V. I. Soroka
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. I. Soroka
Опубліковано: (2015)
Aging of ZnS:Mn thin - film electroluminescent devices grown by two different atomic-layer epitaxial processes
за авторством: Vlasenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Vlasenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2001)
The influence of the working layer thickness on the properties of hot-pressed powder layered composites
за авторством: H. A. Bahliuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: H. A. Bahliuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Thickness dependence of refractivity in wall-adjacent epitropic liquid crystal
за авторством: Yu. Popovskii, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yu. Popovskii, та інші
Опубліковано: (2014)
Thickness dependence of refractivity in wall-adjacent epitropic liquid crystal
за авторством: Yu. Popovskii, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yu. Popovskii, та інші
Опубліковано: (2014)
On integral model of transverse dynamic displacements of thick elastic layer
за авторством: V. A. Stojan, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Stojan, та інші
Опубліковано: (2013)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)
Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of a near-electrode layer thickness on the diffusion impedance
за авторством: V. V. Pototska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Pototska, та інші
Опубліковано: (2018)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)
Growth of catalytically active nanostructures in the nonequilibrium epitaxy regime
за авторством: V. M. Horshkov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. M. Horshkov, та інші
Опубліковано: (2015)
Growth of catalytically active nanostructures in the nonequilibrium epitaxy regime
за авторством: V. M. Gorshkov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. M. Gorshkov, та інші
Опубліковано: (2015)
Determination of the distorted surface layer thickness in machined optically transparent polymer articles
за авторством: Khlapova, N.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Khlapova, N.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Electroslag surfacing of layers of different thicknesses in stationary current-supplying mould
за авторством: Ju. M. Kuskov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ju. M. Kuskov, та інші
Опубліковано: (2018)
Modelling of processes of formation of pyramidal structures during epitaxial growth
за авторством: V. O. Kharchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. O. Kharchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: theoretical background
за авторством: A. S. Garkavenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. S. Garkavenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment
за авторством: A. S. Garkavenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. S. Garkavenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of technological schemes of induction surfacing on stability of deposited layer thickness
за авторством: Ch. V. Pulka, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ch. V. Pulka, та інші
Опубліковано: (2013)
HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
The impact of material and thickness of the separation layer on the structure condensates Cu-Mo
за авторством: V. H. Hrechaniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. H. Hrechaniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Evaluation of structural perfection of epitaxial films yttrium iron garnet
за авторством: V. V. Mokliak
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Mokliak
Опубліковано: (2015)
Anormalous growth of thermopower in epitaxial graphene on a size-quantized film
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020) -
Liquid phase epitaxy and properties of nanoheterostruc-tures based on the III–V compounds
за авторством: I. E. Maronchuk, та інші
Опубліковано: (2012) -
Phase method of ultrasonic thickness measurement
за авторством: Yu. V. Kuts, та інші
Опубліковано: (2013) -
p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005) -
Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)