Thick layers liquid-phase epitaxy method

Thick layers liquid-phase epitaxy method

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	S. N. Dranchuk, V. A. Zavadskij, V. A. Mokritskij
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2013
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405015
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Growing of heteroepitaxial layers on lattice mismatched substrates by the method of scanning liquid phase epitaxy
за авторством: V. V. Tsybulenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Obtaining heterostructures with quantium dots for sensors by using liquid phase epitaxy
за авторством: Maronchuk, I.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Liquid phase epitaxy and properties of nanoheterostruc-tures based on the III–V compounds
за авторством: I. E. Maronchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Phase method of ultrasonic thickness measurement
за авторством: Yu. V. Kuts, та інші
Опубліковано: (2013)

p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)

Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)

Measurement of thicknesses of optically transparent layered structures by the spectral interferometry method
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2017)

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Electromigration effects at epitaxial growth of thin films: Phase-field modeling
за авторством: A. V. Dvornichenko
Опубліковано: (2021)

Electromigration effects at epitaxial growth of thin films: Phase-field modeling
за авторством: A. V. Dvornychenko
Опубліковано: (2021)

Surface layers and thickness dependences of the thermoelectric properties of the steam-phase condensates of the last on the sieve
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2015)

Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2004)

Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

On possibility of alpha-radioactive thick-layer waste analysis using high-vacuum technique methods
за авторством: Dikiy, N.P., та інші
Опубліковано: (2002)

Magnetic method for determination of the thickness of protective concrete layer and diameter of rebars of building structures
за авторством: A. P. Gusev, та інші
Опубліковано: (2017)

Allowable deviation of LC layer thickness in cholesteric LCDs
за авторством: Rybalochka, A., та інші
Опубліковано: (2002)

Adsorption of ions and thickness dependence of conductivity in liquid crystals
за авторством: O. V. Kovalchuk
Опубліковано: (2011)

Adsorption of ions and thickness dependence of conductivity in liquid crystals
за авторством: Kovalchuk, O.V.
Опубліковано: (2011)

Modified backscattering method of the nanometer self-supporting films and surface layers thickness measurements
за авторством: V. I. Soroka
Опубліковано: (2015)

Solid state doping of CdxHg₁₋xTe epitaxial layers with elements of V group
за авторством: Vlasov, A.P., та інші
Опубліковано: (2006)

Comprehensive studies of defect production and strained states in silicon epitaxial layers and device structures based on them
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2001)

Simulation of growth of graded bandgap GaAsP layers at liquid phase electroepitaxy
за авторством: Tsybulenko, V., та інші
Опубліковано: (2008)

The influence of the working layer thickness on the properties of hot-pressed powder layered composites
за авторством: H. A. Bahliuk, та інші
Опубліковано: (2011)

On integral model of transverse dynamic displacements of thick elastic layer
за авторством: V. A. Stojan, та інші
Опубліковано: (2013)

Thickness dependence of refractivity in wall-adjacent epitropic liquid crystal
за авторством: Yu. Popovskii, та інші
Опубліковано: (2014)

Thickness dependence of refractivity in wall-adjacent epitropic liquid crystal
за авторством: Yu. Popovskii, та інші
Опубліковано: (2014)

Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)

Influence of a near-electrode layer thickness on the diffusion impedance
за авторством: V. V. Pototska, та інші
Опубліковано: (2018)

AFM study of micromorphology and microscopic growth mechanisms of Hg₁₋x CdxTe LPE epitaxial layers
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model
за авторством: Z. Z. Alisultanov
Опубліковано: (2013)

Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model
за авторством: Alisultanov, Z.Z.
Опубліковано: (2013)

Aging of ZnS:Mn thin - film electroluminescent devices grown by two different atomic-layer epitaxial processes
за авторством: Vlasenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment
за авторством: A. S. Garkavenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: theoretical background
за авторством: A. S. Garkavenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Interdiffusion in EuS -based epitaxial superlattice nanostructures
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)

Quantum electrical capacitance of epitaxial graphene
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2015)

Determination of the distorted surface layer thickness in machined optically transparent polymer articles
за авторством: Khlapova, N.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2013)