Use of high-thermal conductive aluminum nitride based ceramics in vacuum UHF electronic devices
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | V. I. Chasnyk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405020 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Microwave energy attenuators on the basis of aluminum nitride with high level of microwave energy absorption
за авторством: V. I. Chasnyk
Опубліковано: (2014) -
The effect of high pressures and high temperatures on the properties of aluminum nitride
за авторством: V. S. Urbanovich, та інші
Опубліковано: (2015) -
Decreasing water concentration in the Uragan-3M device with UHF discharge
за авторством: Kozulya, M.M., та інші
Опубліковано: (2014) -
UHF–load
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2004) -
The use of negative bias potential for structural engineering of vacuum-arc nitride coatings based on high-entropy alloys
за авторством: Sobol', O.V., та інші
Опубліковано: (2019)