Use of high-thermal conductive aluminum nitride based ceramics in vacuum UHF electronic devices
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автор: | V. I. Chasnyk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405020 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Microwave energy attenuators on the basis of aluminum nitride with high level of microwave energy absorption
за авторством: V. I. Chasnyk
Опубліковано: (2014) -
The effect of high pressures and high temperatures on the properties of aluminum nitride
за авторством: V. S. Urbanovich, та інші
Опубліковано: (2015) -
Decreasing water concentration in the Uragan-3M device with UHF discharge
за авторством: Kozulya, M.M., та інші
Опубліковано: (2014) -
UHF–load
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2004) -
Vacuum—Plasma Coatings Based on the Multielement Nitrides
за авторством: N. A. Azarenkov, та інші
Опубліковано: (2013)