Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | Ja. Ja. Kudrik |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405168 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
On origin of room temperature ferromagnetism in wide gap semiconductors
за авторством: Korbecka, Anna, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Korbecka, Anna, та інші
Опубліковано: (2009)
Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)
Phenomenological model of athermal interaction of microwave radiation with the structures wide-gap semiconductor – oxide film
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2015)
Phenomenological model of athermal interaction of microwave radiation with the structures wide-gap semiconductor – oxide film
за авторством: Okhrimenko, O.B
Опубліковано: (2015)
за авторством: Okhrimenko, O.B
Опубліковано: (2015)
Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)
Low-temperature radiation effects in wide gap materials
за авторством: Popov, A.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Popov, A.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Low-temperature radiation effects in wide gap materials
за авторством: A. I. Popov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. I. Popov, та інші
Опубліковано: (2016)
High conducting transparent materials based on wide-gap ZnO
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2017)
Radiation and thermal stability of thin layers, he-terosystems and nanostructures, created on the basis of elementary semiconductors and semiconductor com-pounds
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2010)
Superlattice nanostructures based on chalcogenide semiconductors
за авторством: Sipatov
Опубліковано: (2009)
за авторством: Sipatov
Опубліковано: (2009)
Luminescence of nanostructures based on semiconductor nitrides
за авторством: Menkovich, E.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Menkovich, E.A., та інші
Опубліковано: (2012)
Investigation of electron-phonon interaction in bulk and nanostructured semiconductors
за авторством: Yaremko, A.M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Yaremko, A.M., та інші
Опубліковано: (2007)
Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa3
за авторством: B. Kotur, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. Kotur, та інші
Опубліковано: (2013)
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
Technology of wide-layer hard-facing of large-sized crankshafts
за авторством: A. P. Zhudra, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. P. Zhudra, та інші
Опубліковано: (2010)
Development of methods for elimination of distortions of crankshafts in wide-layer surfacing
за авторством: Ju. Krivchikov
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ju. Krivchikov
Опубліковано: (2011)
Superconducting gap and pair breaking in CeRu₂ studied by point contacts
за авторством: Moskalenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Moskalenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2001)
Magnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As
за авторством: Figielski, T., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Figielski, T., та інші
Опубліковано: (2003)
Formation of rectifying contact in semiconductor–vacuum–metal system
за авторством: L. G. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: L. G. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Imation of the electrical and thermal contact rsistances and thermoemf of "thermoelectric material-metal" transient contact layer due to semiconductor surface roughness
за авторством: P. V. Horskyi
Опубліковано: (2018)
за авторством: P. V. Horskyi
Опубліковано: (2018)
Imation of the electrical and thermal contact rsistances and thermoemf of "thermoelectric material-metal" transient contact layer due to semiconductor surface roughness
за авторством: P. V. Gorskij
Опубліковано: (2018)
за авторством: P. V. Gorskij
Опубліковано: (2018)
Formation and properties of intercalatal nanostructures of an inorganic semiconductor/ferroelectric liquid crystal
за авторством: T. M. Bishchaniuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. M. Bishchaniuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Semiconductor properties of nanomolekular layer of DNA
за авторством: V. V. Dzhelali, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: V. V. Dzhelali, та інші
Опубліковано: (2007)
Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors
за авторством: Slipokurov, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Slipokurov, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)
Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors
за авторством: V. S. Slipokurov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. S. Slipokurov, та інші
Опубліковано: (2015)
Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors
за авторством: Slipokurov, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Slipokurov, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)
Functionalization and nanostructurization of surface layers of porous silicon
за авторством: Ye. I. Zubko
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. I. Zubko
Опубліковано: (2013)
Influence of oxide layers on optical properties of copper in a wide spectral range
за авторством: Filipov, Y.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Filipov, Y.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Variational approach to the calculation of the lowest Wannier exciton state in wide type-II single semiconductor quantum wells
за авторством: G. V. Vertsimakha
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. V. Vertsimakha
Опубліковано: (2016)
Features studies of transition layers in semiconductor heterosystems
за авторством: L. V. Shekhovtsov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: L. V. Shekhovtsov, та інші
Опубліковано: (2021)
Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Photoelectric phenomena in the hyperfine (3-20 μm) gap gas discharge with a semiconductor electrode
за авторством: Z. Khajdarov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Z. Khajdarov, та інші
Опубліковано: (2015)
Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Cold cathodes based on carbonic nanostructured layered structures
за авторством: A. F. Beljanin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. F. Beljanin, та інші
Опубліковано: (2013)
Determination of parameters of shock-compressed gas in welding gap ahead of contact point in explosion cladding
за авторством: Ju. Bondarenko, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ju. Bondarenko, та інші
Опубліковано: (2009)
Contact of elastic solids in the presence of gas and non-wetting liquid in periodically arranged interfacial gaps
за авторством: O. P. Kozachok, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. P. Kozachok, та інші
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
On origin of room temperature ferromagnetism in wide gap semiconductors
за авторством: Korbecka, Anna, та інші
Опубліковано: (2009) -
Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013) -
Phenomenological model of athermal interaction of microwave radiation with the structures wide-gap semiconductor – oxide film
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2015) -
Phenomenological model of athermal interaction of microwave radiation with the structures wide-gap semiconductor – oxide film
за авторством: Okhrimenko, O.B
Опубліковано: (2015) -
Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)