Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автор: | Ja. Ja. Kudrik |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405168 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
On origin of room temperature ferromagnetism in wide gap semiconductors
за авторством: Korbecka, Anna, та інші
Опубліковано: (2009) -
Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013) -
Phenomenological model of athermal interaction of microwave radiation with the structures wide-gap semiconductor – oxide film
за авторством: Okhrimenko, O.B
Опубліковано: (2015) -
Phenomenological model of athermal interaction of microwave radiation with the structures wide-gap semiconductor – oxide film
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2015) -
Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)