Vakiv, N. M., Krukovskij, S. I., Timchishin, V. R., & Vaskiv, A. P. (2013). Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Vakiv, N. M., S. I. Krukovskij, V. R. Timchishin, und A. P. Vaskiv. Obtaining of Bilateral High Voltage Epitaxial P—i—n Si Structures by LPE Method. 2013.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Vakiv, N. M., et al. Obtaining of Bilateral High Voltage Epitaxial P—i—n Si Structures by LPE Method. 2013.
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