Vakiv, N. M., Krukovskij, S. I., Timchishin, V. R., & Vaskiv, A. P. (2013). Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Vakiv, N. M., S. I. Krukovskij, V. R. Timchishin, та A. P. Vaskiv. Obtaining of Bilateral High Voltage Epitaxial P—i—n Si Structures by LPE Method. 2013.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Vakiv, N. M., et al. Obtaining of Bilateral High Voltage Epitaxial P—i—n Si Structures by LPE Method. 2013.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.