Зображення обкладинки

Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	N. M. Vakiv, S. I. Krukovskij, V. R. Timchishin, A. P. Vaskiv
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2013
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405174
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)

AFM study of micromorphology and microscopic growth mechanisms of Hg₁₋x CdxTe LPE epitaxial layers
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
за авторством: S. I. Krukovskij
Опубліковано: (2006)

Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)

p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)

Determination of crystallization conditions of Ge/GaAs heterostructures in the scanning LPE method
за авторством: Tsybulenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2011)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Obtaining heterostructures with quantium dots for sensors by using liquid phase epitaxy
за авторством: Maronchuk, I.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)

Influence of elastic strains on LPE growth kinetics in the Cd-Hg-Te System
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Description of bilateral ideals in a class of noncommutative rings. I
за авторством: Bavula, V. V., та інші
Опубліковано: (1993)

Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)

Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)

Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)

On the results of N. P. Korneichuk obtained in 1990–1999
за авторством: Babenko, V. F., та інші
Опубліковано: (2000)

Analytic theory for the current-voltage characteristic of a nanowire radial p-i-n diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2021)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)

Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering
за авторством: Zayats, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)

The Problems and Prospects of Ukrainian-Spanish Bilateral Cooperation
за авторством: I. O. Panova, та інші
Опубліковано: (2023)

One criterion of unitarity of bilateral integral transformation
за авторством: Vu Kim Tuan, та інші
Опубліковано: (1992)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)

High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)

Adhesive strength of nanocomposite Zr-Ti-Si-N coatings obtained by vacuum arc method
за авторством: V. M. Beresnev, та інші
Опубліковано: (2010)

Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films
за авторством: Oleksenko, P.Ph., та інші
Опубліковано: (1998)

Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Modelling of epitaxial growth of diamond crystals in high-carbon Fe–Al alloys
за авторством: A. A. Mekhed, та інші
Опубліковано: (2013)

Modelling of Epitaxial Growth of Diamond Crystals in High-Carbon Fe—Al Alloys
за авторством: Mekhed, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Novel hysteresis effect in ultrathin epitaxial Gd₂O₃ high-k dielectric
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Modeling of photo-conversion efficiency for hydrogenated amorphous Si p-i-n structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Solutions of the matrix linear bilateral polynomial equation and their structure
за авторством: Dzhaliuk, Nataliia S., та інші
Опубліковано: (2019)

Solutions of the matrix linear bilateral polynomial equation and their structure
за авторством: Dzhaliuk, N.S., та інші
Опубліковано: (2019)

Bilateral Bailey Lattices and Andrews-Gordon Type Identities
за авторством: Dousse, Jehanne, та інші
Опубліковано: (2025)

Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)