Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автор: | I. R. Jatsunskij |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000405176 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Яцунский, И.Р.
Опубліковано: (2013) -
Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching
за авторством: A. F. Djadenchuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Development of deep silicon plasma etching for 3D integration technology
за авторством: A. A. Golishnikov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Energy-saving technology for processing of exhausted etching solutions with obtaining of ferromagnetic compounds
за авторством: Самченко, Д.М., та інші
Опубліковано: (2022) -
Energy-saving technology for processing of exhausted etching solutions with obtaining of ferromagnetic compounds
за авторством: D. M. Samchenko, та інші
Опубліковано: (2022)