Зображення обкладинки

Simulation of combined Schottky diode

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автор:	Ye. M. Kiselov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2013
Назва видання:	Journal of mechanical engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000450110
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Nonlinear Analysis of Millimeter-Wave Schottky Diode Mixers
за авторством: Piddyachiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Schottky diodes based on the zinc selenide semiconductor crystals
за авторством: Voronkin, E.
Опубліковано: (2013)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: Litvinenko, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
за авторством: P. V. Kuchinskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2010)

Schottky Diode Tripler in the 3-mm Wave Receiver for Investigation of Atmospheric Gases
за авторством: V. I. Podjachij
Опубліковано: (2015)

Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005)

SCHOTTKY DIODE TRIPLER IN THE 3-MM WAVE RECEIVER FOR INVESTIGATION OF ATMOSPHERIC GASES
за авторством: Piddyachiy, V. I.
Опубліковано: (2015)

Calculating the electronic transmission properties of semiconducting carbon nanotube Schottky diodes with increase in diameter
за авторством: R. Nizam, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes
за авторством: Katrunov, K.A., та інші
Опубліковано: (2008)

Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)

Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

Calculating the electronic transmission properties of semiconducting carbon nanotube Schottky diodes with increase in diameter
за авторством: Rashid Nizam, та інші
Опубліковано: (2012)

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)

Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In2Hg3Te6
за авторством: A. A. Ashcheulov, та інші
Опубліковано: (2016)

Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)

Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Thermal annealing ambiance effect on phosphorus passivation and reactivation mechanisms in silicon-based Schottky diodes hydrogenated by MW-ECR plasma
за авторством: Belfennache, D., та інші
Опубліковано: (2021)

Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)

Schottky contact degradation at thermal annealing
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2012)

Lateral photo-emf in Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au–TiB₂–n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2014)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)

Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)

Lateral photo-emf in a nonuniform Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2011)

Numerical simulation of the Marx–Generator behavior on nonlinear load-high-current vacuum diode
за авторством: Kolyada, Yu.E., та інші
Опубліковано: (2001)

Combining object-oriented programming and simulation in education
за авторством: Bivoino, Taras, та інші
Опубліковано: (2026)

Simulation of electricity accumulation process in the combined power system
за авторством: M. P. Kuznietsov, та інші
Опубліковано: (2020)

Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Some features of transverse photovoltage in semiconductor heterostructure and Schottky contact
за авторством: Shekhovtsov, L.V.
Опубліковано: (2001)

SIMULATION OF ELECTRICITY ACCUMULATION PROCESS IN THE COMBINED POWER SYSTEM
за авторством: Kuznietsov, М., та інші
Опубліковано: (2020)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Photoresponse of Schottky-barrier detector under strong IR laser excitation
за авторством: Asmontas, S., та інші
Опубліковано: (2000)