Configuration interaction in delta-doped heterostructures
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | I. V. Rozhansky, N. S. Averkiev, E. Lдhderanta |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Low Temperature Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000476645 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Configuration interaction in delta-doped heterostructures
за авторством: Rozhansky, I.V., та інші
Опубліковано: (2013) -
Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2015) -
Features of magnetotransport in heterostructures with selectively doped quantum wells
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2014) -
Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-x with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2015) -
Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped p-n junction
за авторством: Vitusevich, S. A., та інші
Опубліковано: (1999)