Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime

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Bibliographische Detailangaben
Datum:2013
Hauptverfasser: Ju. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. G. Novokshonov, A. S. Klepikova, G. I. Kharus, N. G. Shelushinina, M. V. Jakunin
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: 2013
Schriftenreihe:Low Temperature Physics
Online Zugang:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000476649
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