Зображення обкладинки

Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	O. T. Bohorosh, S. O. Voronov, I. O. Shmatko, O. A. Shmatko
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2013
Назва видання:	Metallophysics and advanced technologies
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477786
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015)

Grain boundaries and their influence on the properties of polycrystalline materials. Part 2.
за авторством: O. D. Vasyliev, та інші
Опубліковано: (2018)

Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Switching of current and voltage when heating non-transition polycrystalline silicon doped with alkali metals in the region of grain boundaries
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Grain boundaries and their influence on the properties of polycrystalline materials. Part 1 (survey)
за авторством: O. D. Vasyliev, та інші
Опубліковано: (2018)

Model of the grain boundary in p-n-structures based on polycrystalline semiconductors
за авторством: L. O. Olimov
Опубліковано: (2010)

The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films
за авторством: F. D. Kasimov, та інші
Опубліковано: (2002)

Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
за авторством: I. G. Pashaev
Опубліковано: (2012)

Tungsten Diffusion Rates on the Stationary and Moving Grain Boundaries in Cobalt—Tungsten Alloys
за авторством: T. S. Hatsenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010)

Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

Grain Boundary Diffusion with Simultaneous Chemical Interaction in Grain Boundary
за авторством: A. L. Petelin, та інші
Опубліковано: (2013)

Synthesis of cubic boron nitride with using of dense modifications of boron nitride polycrystalline grains
за авторством: I. O. Borymskyi
Опубліковано: (2017)

Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Kinetic size effects in multilayer films with a polycrystalline structure
за авторством: A. H. Basov, та інші
Опубліковано: (2010)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)

Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Analysis of Fracture Behavior of Thin Polycrystalline Diamond Films
за авторством: D. S. Li, та інші
Опубліковано: (2014)

Determination of Segregation Influence on the Motion of the Interphase Boundaries During Cellular Precipitation
за авторством: Yu. O. Liashenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Melting of polycrystalline lead and bismuth films on amorphous carbon substrates
за авторством: V. N. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2012)

Properties of diamond polycrystalline composite material obtained in the diamond-graphene-silicon system
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Using micro- and nanodispersive diamonds for deposition of polycrystalline diamond films in glow discharge
за авторством: I. I. Vyrovets, та інші
Опубліковано: (2007)

To the low temperature sliding at grain boundary
за авторством: A. S. Bakaj, та інші
Опубліковано: (2017)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Surface reconstruction of polycrystalline gold films under the influence of thermal annealing
за авторством: E. V. Kostjukevich, та інші
Опубліковано: (2013)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

In Situ TEM Investigation of Homogenization Kinetics of Polycrystalline Ag—Pd Film System
за авторством: A. P. Kryshtal, та інші
Опубліковано: (2014)

The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)

The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)

Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)