Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | O. T. Bohorosh, S. O. Voronov, I. O. Shmatko, O. A. Shmatko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Metallophysics and advanced technologies |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477786 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015) -
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2015) -
Grain boundaries and their influence on the properties of polycrystalline materials. Part 2.
за авторством: O. D. Vasyliev, та інші
Опубліковано: (2018) -
Advances in high-Tc grain boundary junctions
за авторством: Tafuri, F., та інші
Опубліковано: (2004) -
Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)