Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | V. A. Makara, L. P. Steblenko, S. M. Bokoch, A. M. Kuryliuk, Yu. L. Kobzar |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Metallophysics and advanced technologies |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000477794 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
The relaxation of magnetomechanical effect in silicon crystals under cyclic magnetic treatment
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2009) -
The magnetosensitive transistors
за авторством: L. F. Vikulina
Опубліковано: (1998) -
Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2004) -
The Influence of Plastic Deformation on the Defect-Impurity State and Magnetic Properties of Silicon (Cz-Si)
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013) -
Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)