Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | O. I. Tkachuk, M. I. Terebinska, V. V. Lobanov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Surface |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000516563 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Transformation of addimers >Ge=Ge<, >Ge=Si< AND >Si=Si< on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021) -
High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2003) -
Triplet-singlet transitions during the adsorption of O2 molecules on the face Si(111)
за авторством: M. I. Terebinskaja, та інші
Опубліковано: (2015) -
Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022) -
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)