Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | O. I. Tkachuk, M. I. Terebinska, V. V. Lobanov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Surface |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000516563 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Transformation of addimers >Ge=Ge<, >Ge=Si< AND >Si=Si< on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)
High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2003)
Структура і властивості первинних поверхневих утворень германію на грані Si(001): квантовохімічні дослідження
за авторством: Tkachuk, O. I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tkachuk, O. I., та інші
Опубліковано: (2014)
Triplet-singlet transitions during the adsorption of O2 molecules on the face Si(111)
за авторством: M. I. Terebinskaja, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: M. I. Terebinskaja, та інші
Опубліковано: (2015)
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)
Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)
Quantum chemical calculations on adsorption of o2 molecules on the anatase (001) surface
за авторством: O. V. Smirnova, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. V. Smirnova, та інші
Опубліковано: (2016)
Frequencies of normal vibrations of oxygen complexes on silicon (111) face
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2014)
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)
Microstructure of the relaxed (001) Si surface
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2000)
Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)
About the dimer helium
за авторством: A. M. Pavlov
Опубліковано: (2009)
за авторством: A. M. Pavlov
Опубліковано: (2009)
Electronic structure of complexes of oligomers of 3,4-ethylene-dietoxythiophene with polystyrlesulphonic acid
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)
Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
Functionalization of diamantane dimers
за авторством: P. A. Gunchenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: P. A. Gunchenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Detection of ternary complex of fibrin desab with D-dimer and D-fragment of fibrin
за авторством: O. Hrabovskyi, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: O. Hrabovskyi, та інші
Опубліковано: (2023)
Deformations of Dimer Models
за авторством: Higashitani, Akihiro, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Higashitani, Akihiro, та інші
Опубліковано: (2022)
The influence of H₂S and H₂ adsorption on characteristics of MIS structures with Si porous layers
за авторством: Solntsev, V.S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Solntsev, V.S., та інші
Опубліковано: (2008)
The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 Ч 8) nanostructured surface
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)
Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 Ч 8) nanostructured surface
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)
Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Ye. Ye. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ye. Ye. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Molecular isomerization in n-propanol dimers
за авторством: I. Doroshenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: I. Doroshenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Molecular isomerization in n-propanol dimers
за авторством: I. Doroshenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: I. Doroshenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Vibrational state of the cluster simulating adsorptioncomplexes of oxygen on Si (100) border
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2014)
Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Схожі ресурси
-
Transformation of addimers >Ge=Ge<, >Ge=Si< AND >Si=Si< on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021) -
High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2003) -
Структура і властивості первинних поверхневих утворень германію на грані Si(001): квантовохімічні дослідження
за авторством: Tkachuk, O. I., та інші
Опубліковано: (2014) -
Triplet-singlet transitions during the adsorption of O2 molecules on the face Si(111)
за авторством: M. I. Terebinskaja, та інші
Опубліковано: (2015) -
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)