Formation of Stationary Surface Structures During Ion Beam Sputtering
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | I. O. Lysenko, V. O. Kharchenko, S. V. Kokhan, A. V. Dvornychenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Metallophysics and advanced technologies |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000518060 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering
за авторством: Kharchenko, V.O., та інші
Опубліковано: (2011) -
Analysis of the formation of stationary patterns at the Ion sputtering within the anisotropic Kuramoto–Sivashinsky model
за авторством: I. O. Lysenko
Опубліковано: (2016) -
Analysis of the formation of stationary patterns at the Ion sputtering within the anisotropic Kuramoto–Sivashinsky model
за авторством: I. O. Lysenko
Опубліковано: (2016) -
Structure formation processes induced by the ion sputtering in anisotropic system with additive noise
за авторством: Kharchenko, V.O.
Опубліковано: (2011) -
Modelling of processes of formation of pyramidal structures during epitaxial growth
за авторством: V. O. Kharchenko, та інші
Опубліковано: (2015)