Charge Transport in MoRe—Si(W)—MoRe Heterostructures under Various Levels of Semiconductor Layer Alloying

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автор: A. P. Shapovalov
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2013
Назва видання:Metallophysics and advanced technologies
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000518648
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS