Charge Transport in MoRe—Si(W)—MoRe Heterostructures under Various Levels of Semiconductor Layer Alloying
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автор: | A. P. Shapovalov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Metallophysics and advanced technologies |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000518648 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Charge transport in superconducting heterostructures MoRe–Si(W)–MoRe with hybrid semiconductor barrier with metal nanoclusters
за авторством: V. E. Shaternik, та інші
Опубліковано: (2017) -
Excess Quasi-Particle Current in Josephson Superconductor—Doped Semiconductor—Superconductor Heterostructures MoRe—Si (W)—MoRe
за авторством: V. E. Shaternik, та інші
Опубліковано: (2014) -
Influence of external microwave radiation on transport characteristics of superconducting MoRe–Si(W)–MoRe junctions
за авторством: A. P. Shapovalov, та інші
Опубліковано: (2021) -
Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe
за авторством: Шатерник, В.Е., та інші
Опубліковано: (2014) -
Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
за авторством: Шаповалов, А.П.
Опубліковано: (2013)