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Charge Transport in MoRe—Si(W)—MoRe Heterostructures under Various Levels of Semiconductor Layer Alloying

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
1. Verfasser:	A. P. Shapovalov
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2013
Schriftenreihe:	Metallophysics and advanced technologies
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000518648
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Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

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