Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon

Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	Ye. I. Kurek, I. H. Kurek, A. V. Oliinych-Lysiuk, M. D. Raranskyi
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2013
Назва видання:	Metallophysics and advanced technologies
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000521442
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Anomalies of Inverse Magnetoplastic Effect in a Magnesium-Thermal Beryllium Condensate
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2014)

The Influence of Weak Magnetic Fields on the Mechanical Properties of Beryllium
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2015)

The "magnetic memory" effects in high-purity beryllium
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2016)

Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2004)

Structural Changes in the GGG Single Crystals Implanted with Ne+ Ions During Natural Ageing
за авторством: B. K. Ostafiichuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal
за авторством: Konieczny, K.
Опубліковано: (1999)

Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2020)

The relaxation of magnetomechanical effect in silicon crystals under cyclic magnetic treatment
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2009)

Relaxation of photoconductivity in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Evolution of defective structure of the irradiated silicon during natural ageing
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Relaxation processes in nonstoichiometric YBa₂Cu₃O₇-δ single crystals during annealing and at high pressure
за авторством: Obolenskii, M.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)

Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)

The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Mechanisms of the high-temperature internal stresses relaxation during creep in alkali-halide single crystals
за авторством: Matsokin, V.P., та інші
Опубліковано: (2006)

Polishing of opto-electronic equipment elements from single-crystal silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2015)

An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)

Relaxation of active acoustic emission sources during the natural aging of A³B⁵ epitaxial structures
за авторством: Veleschuk, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Effect of a weak constant magnetic field on the silicon single crystal structure
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2011)

Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy
за авторством: Kulyk, S.P., та інші
Опубліковано: (2008)

Single-crystal silicon solar cell efficiency increase in magnetic field
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)

Relaxation of defect structure in ultrasonic wave field and acoustic emission in LiF single crystals
за авторством: Kravtsov, M.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)

Aging-effect in optimal doped Yba₂Cu₃O₇₋δ single crystals
за авторством: Nazyrov, Z.F., та інші
Опубліковано: (2014)

Cluster formations of conducting quantum structures in single-crystal silicon for solar energy
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2009)

The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals
за авторством: Pelikhaty, N.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Crystallization and natural aging of thin films produced by pulsed laser evaporation of rhenium
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)

Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018)

Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2017)