Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | Ye. I. Kurek, I. H. Kurek, A. V. Oliinych-Lysiuk, M. D. Raranskyi |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Metallophysics and advanced technologies |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000521442 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Anomalies of Inverse Magnetoplastic Effect in a Magnesium-Thermal Beryllium Condensate
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2014)
The Influence of Weak Magnetic Fields on the Mechanical Properties of Beryllium
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2015)
The "magnetic memory" effects in high-purity beryllium
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2016)
Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)
Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2004)
Structural Changes in the GGG Single Crystals Implanted with Ne+ Ions During Natural Ageing
за авторством: B. K. Ostafiichuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. K. Ostafiichuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal
за авторством: Konieczny, K.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Konieczny, K.
Опубліковано: (1999)
Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2020)
Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Relaxation of photoconductivity in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
The relaxation of magnetomechanical effect in silicon crystals under cyclic magnetic treatment
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2009)
Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)
Evolution of defective structure of the irradiated silicon during natural ageing
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
Mechanisms of the high-temperature internal stresses relaxation during creep in alkali-halide single crystals
за авторством: Matsokin, V.P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Matsokin, V.P., та інші
Опубліковано: (2006)
Polishing of opto-electronic equipment elements from single-crystal silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2015)
An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)
Relaxation of active acoustic emission sources during the natural aging of A³B⁵ epitaxial structures
за авторством: Veleschuk, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Veleschuk, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)
Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy
за авторством: Kulyk, S.P., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kulyk, S.P., та інші
Опубліковано: (2008)
Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)
Relaxation of defect structure in ultrasonic wave field and acoustic emission in LiF single crystals
за авторством: Kravtsov, M.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kravtsov, M.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Crystallization and natural aging of thin films produced by pulsed laser evaporation of rhenium
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)
Aging-effect in optimal doped Yba₂Cu₃O₇₋δ single crystals
за авторством: Nazyrov, Z.F., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Nazyrov, Z.F., та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Cluster formations of conducting quantum structures in single-crystal silicon for solar energy
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2009)
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2009)
The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals
за авторством: Pelikhaty, N.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Pelikhaty, N.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Evolution of Defect Subsystems During Microplastic Deformation of Auxetic Beryllium
за авторством: Yu. Tashchuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. Tashchuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Investigations of surface morphology and microrelief of GaAs single crystals by complementary methods
за авторством: Zymierska, D., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Zymierska, D., та інші
Опубліковано: (2000)
Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018)
Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2017)
Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Схожі ресурси
-
Anomalies of Inverse Magnetoplastic Effect in a Magnesium-Thermal Beryllium Condensate
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2014) -
The Influence of Weak Magnetic Fields on the Mechanical Properties of Beryllium
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2015) -
The "magnetic memory" effects in high-purity beryllium
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2016) -
Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013) -
Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)