Isothermal section of the phase diagram of the Gd—Si—Ga system at 800 °C
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | N. V. Holovata, Ya. Markiv, N. M. Biliavyna |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Ukrainian Chemistry Journal |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000664422 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Isothermal section of the Ti—Al—Ga system at 850 °S
за авторством: N. M. Biliavyna, та інші
Опубліковано: (2020) -
Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C
за авторством: Головата, Н.В., та інші
Опубліковано: (2013) -
Thermodynamic calculation of the phase diagram of the Si–C system up to 8 GPa
за авторством: V. Z. Turkevych, та інші
Опубліковано: (2016) -
Interaction of components in the system Tm—Fe—Si at 800 oC
за авторством: O. I. Bardin, та інші
Опубліковано: (2011) -
Isothermal oxidation of the Cu1–xZnx solid solution powders
за авторством: M. V. Tymoshenko, та інші
Опубліковано: (2011)