Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | G. I. Syngayivska, V. V. Korotyeyev |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2013
|
| Schriftenreihe: | Ukrainian journal of physics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000688087 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
von: H. I. Synhaivska, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: H. I. Synhaivska, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Electron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
von: Syngayivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Syngayivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Elecron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
von: G. I. Syngayivska, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: G. I. Syngayivska, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Monte Carlo Simulation of hot electron effects in compensated GaN semiconductor at moderate electricfields
von: Syngaivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Syngaivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Comparison of electron transport in polar materials for the models of low-density and high-density electron gas. Application to bulk GaN
von: Korotyeyev, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Korotyeyev, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
von: G. I. Syngaivska, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: G. I. Syngaivska, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
von: Syngaivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Syngaivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances
von: V. V. Korotyeyev
Veröffentlicht: (2013)
von: V. V. Korotyeyev
Veröffentlicht: (2013)
Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances
von: Korotyeyev, V.V.
Veröffentlicht: (2013)
von: Korotyeyev, V.V.
Veröffentlicht: (2013)
Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
von: V. R. Stempitskij, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: V. R. Stempitskij, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures
von: Vitusevich, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Vitusevich, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
von: Kundu, J., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Kundu, J., et al.
Veröffentlicht: (2007)
The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Фононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2022)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Extreme HT-HP conditions for activation of noticeable oxygen diffusion in GaN
von: B. Sadovyi, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: B. Sadovyi, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Extreme HT-HP conditions for activation of noticeable oxygen diffusion in GaN
von: Sadovyi, B., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Sadovyi, B., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
von: Shashikala, B.N., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Shashikala, B.N., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: Golenkov, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Golenkov, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
von: Kaliuzhnyi, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Kaliuzhnyi, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
von: Zinovchuk, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Zinovchuk, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Електричнi та високочастотнi властивостi компенсованого gan в умовах електронного стримiнгу
von: Syngayivska, G. I., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Syngayivska, G. I., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
One-dimensional warm electron transport in GaN quantum well wires at low temperatures
von: Sarkar, S.K.
Veröffentlicht: (2003)
von: Sarkar, S.K.
Veröffentlicht: (2003)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
von: J. O. Akinlami, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: J. O. Akinlami, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
von: Akinlami, J.O., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Akinlami, J.O., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Ähnliche Einträge
-
Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
von: H. I. Synhaivska, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Electron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
von: Syngayivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Elecron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
von: G. I. Syngayivska, et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Monte Carlo Simulation of hot electron effects in compensated GaN semiconductor at moderate electricfields
von: Syngaivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Comparison of electron transport in polar materials for the models of low-density and high-density electron gas. Application to bulk GaN
von: Korotyeyev, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)