Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автор: | Ya. Olikh |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000688684 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013) -
Charge transport in superconducting heterostructures MoRe–Si(W)–MoRe with hybrid semiconductor barrier with metal nanoclusters
за авторством: V. E. Shaternik, та інші
Опубліковано: (2017) -
Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si
за авторством: M. M. Solovan, та інші
Опубліковано: (2019) -
Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)