Polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot charge carriers in p-Te
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | P. M. Tomchuk, V. M. Bondar, L. S. Solonchuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000688685 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot charge carriers in p-Te
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of anisotropic scattering mechanisms on polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot electrons
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of anisotropic scattering mechanisms on polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot electrons
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of weak magnetic field on the parameters of terahertz radiation emitted by hot carriers in p-Ge
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of weak magnetic field on the parameters of terahertz radiation emitted by hot carriers in p-Ge
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2014)
Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. P. Veleshchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Dependence of the CdTe melting threshold on the pulse duration and wavelength of laser radiation and the parameters of non-equilibrium charge carriers
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)
Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)
Characteristics of undulator-type radiation emitted by bunch of charged particles in wakefield
за авторством: Opanasenko, A.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Opanasenko, A.
Опубліковано: (2004)
Accumulation of spin-polarized states of charge carriers and a spintronic battery
за авторством: L. A. Pastur, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: L. A. Pastur, та інші
Опубліковано: (2020)
Carrier transport mechanisms in polycrystalline sandwich structures p+-PbTe/p-CdTe/p+-PbTe
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)
Polarization of far-IR radiation from p-type germanium under uniaxial pressure and strong electric field
за авторством: Bondar, V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Bondar, V., та інші
Опубліковано: (2001)
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
Influence of the behavior of charge carriers on the thermoelectric properties of PbTe:Bi thin films
за авторством: L. I. Nykyrui, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. I. Nykyrui, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of the behavior of charge carriers on the thermoelectric properties of PbTe:Bi thin films
за авторством: L. I. Nikiruj, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: L. I. Nikiruj, та інші
Опубліковано: (2018)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)
Semi-Сonductor Terahertz Systems of Coherent Reception on the Effect of “Hot-Electrons”
за авторством: Eru, I. I.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Eru, I. I.
Опубліковано: (2012)
Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Point-contact Andreev-reflection spectroscopy of doped manganites: Charge carrier spin-polarization and proximity effects
за авторством: V. N. Krivoruchko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. N. Krivoruchko, та інші
Опубліковано: (2013)
Thermoelectric matrix receiver of optical and terahertz radiation
за авторством: N. H. Kokodyi, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. H. Kokodyi, та інші
Опубліковано: (2018)
Thermoelectric matrix receiver of optical and terahertz radiation
за авторством: N. G. Kokodij, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. G. Kokodij, та інші
Опубліковано: (2018)
ON THE APPLICATION OF TERAHERTZ RADIATION IN VARIOUS FIELDS OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
за авторством: Karushkin, M. F., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Karushkin, M. F., та інші
Опубліковано: (2025)
Influence of Magnetic Line Curvature on Spectrum and Polarization of Synchrotron Radiation of a Charged Particle
за авторством: Sobolev, Ya. M.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sobolev, Ya. M.
Опубліковано: (2013)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)
Point-contact Andreev-reflection spectroscopy of doped manganites: Charge carrier spin-polarization and proximity effects (Review Article)
за авторством: Krivoruchko, V.N., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Krivoruchko, V.N., та інші
Опубліковано: (2013)
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Terahertz transverse-magnetic-polarized waves localized on layered superconductor defect in photonic crystals
за авторством: S. S. Apostolov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. S. Apostolov, та інші
Опубліковано: (2016)
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Simulation of the Charge Carriers Distribution in the Active Region of the p-i-n-diodes by the Perturbation Theory Methods
за авторством: Ya. Bomba, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Ya. Bomba, та інші
Опубліковано: (2021)
Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)
Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)
Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Solohub, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Solohub, та інші
Опубліковано: (2015)
Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Sologub, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Sologub, та інші
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot charge carriers in p-Te
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Influence of anisotropic scattering mechanisms on polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot electrons
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Influence of anisotropic scattering mechanisms on polarization dependences of terahertz radiation emitted by hot electrons
за авторством: P. M. Tomchuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Effect of weak magnetic field on the parameters of terahertz radiation emitted by hot carriers in p-Ge
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2014) -
Effect of weak magnetic field on the parameters of terahertz radiation emitted by hot carriers in p-Ge
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2014)