Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | R. M. Rudenko, V. V. Voitovych, M. M. Krasko, A. G. Kolosyuk, A. M. Kraichynskyi, V. O. Yukhymchuk, V. A. Makara |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000690902 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon, obtained by vapor deposition in vacuum
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Influence of absorption saturation on the shape of CdSe absorption edge
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2014)
Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)
Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)
Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)
Ab Initio Calculation of Magnetic Interaction Between Edge Dislocation and Oxygen Impurity in Silicon
за авторством: I. V. Pliushchai, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: I. V. Pliushchai, та інші
Опубліковано: (2014)
Electrochemical oxidation of phenol on doped tin oxide
за авторством: D. V. Kolomytsev
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. V. Kolomytsev
Опубліковано: (2013)
Effect of chemical modification of thin C₆₀ fullerene films on the fundamental absorption edge
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2010)
Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films
за авторством: Z. U. Dzhabua, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Z. U. Dzhabua, та інші
Опубліковано: (2014)
Optical absorption and refractive properties of annealed thin films of Cu6PS5I superionic conductor
за авторством: I. P. Studeniak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. P. Studeniak, та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of chemical modification of thin C60 fullerene films on the fundamental absorption edge
за авторством: N. L. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: N. L. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2010)
Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)
Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)
Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)
Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
Thermoelectric properties of bismuth-doped tin telluride SnTe:Bi
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)
Thermoelectric properties of bismuth-doped tin telluride SnTe:Bi
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)
Photoinduced light absorption and dichroism of Ca₃Mn₂Ge₃O₁₂ garnet as a probe of electronic processes and intrinsic electric fields
за авторством: Eremenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Eremenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2001)
Acetone vapor sensors based on tin dioxide doped by Au nanoparticles
за авторством: E. Ovodok, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: E. Ovodok, та інші
Опубліковано: (2022)
Acetone vapor sensors based on tin dioxide doped by Au nanoparticles
за авторством: E. Ovodok, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: E. Ovodok, та інші
Опубліковано: (2022)
Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)
Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing
за авторством: Okhrimenko, O.B.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Okhrimenko, O.B.
Опубліковано: (2014)
Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2014)
Effect of time parameters of pulsed bias potential on intrinsic stress in TiN coating deposited from inclined ion beam
за авторством: Kalinichenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Kalinichenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Research of influence of the annealing in the different mediums on TiN—TiB2 compositions properties
за авторством: A. S. Petukhov
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. S. Petukhov
Опубліковано: (2014)
Tin-induced crystallization of amorphous silicon under pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)
Схожі ресурси
-
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020) -
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)