Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | T. A. Pagava, M. G. Beridze, N. I. Maisuradze, L. S. Chkhartishvili, I. G. Kalandadze |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000690903 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015)
Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015)
Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)
Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)
Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
Specific thermoemf and Hall-effect in crystals with monopolar conductivity
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)
Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4+δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: T. B. Charikova, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: T. B. Charikova, та інші
Опубліковано: (2011)
Characteristics of ADS target irradiated by 200…400 MeV proton beam
за авторством: Svistunov, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2013-04-04)
за авторством: Svistunov, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2013-04-04)
Studying on a beam of protons film of alloy Si-Ge, received by method CVD
за авторством: I. K. Kovalchuk, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: I. K. Kovalchuk, та інші
Опубліковано: (2007)
Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (60Co) n-Si crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2018)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2018)
Experimental studies of the nuclear-physical characteristics of the extended uranium target irradiated by relativistic protons, deutrons and ¹²C nuclei
за авторством: Zhadan, A.A., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Zhadan, A.A., та інші
Опубліковано: (2020)
Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Hall effect and magnetic ordering in RB₁₂
за авторством: Baranovskiy, A.E., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Baranovskiy, A.E., та інші
Опубліковано: (2009)
Thermal conductivity of molecular crystals with self-organizing disorder
за авторством: A. I. Krivchikov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. I. Krivchikov, та інші
Опубліковано: (2014)
Thermal conductivity of molecular crystals with self-organizing disorder
за авторством: A. I. Krivchikov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. I. Krivchikov, та інші
Опубліковано: (2014)
Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)
Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)
Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Thermodynamical anomalous Hall effect: quantum regime
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of electron irradiation on the optical properties of nanocrystalline SiC films on single crystal Al2O3 substrates
за авторством: A. V. Semenov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Semenov, та інші
Опубліковано: (2017)
The study of the influence of X-ray irradiation on dislocation characteristics in LiF crystals
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2021)
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2019)
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)
Acoustic edge magnetoplasmons and quantum Hall effect
за авторством: V. Shikin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. Shikin, та інші
Опубліковано: (2017)
Toward theory of quantum Hall effect in graphene
за авторством: Gorbar, E.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorbar, E.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Peculiarities of the influence of high- and low-energy proton and electron irradiations on the characteristics of silicon solar cells
за авторством: Chernenko, V.V.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Chernenko, V.V.
Опубліковано: (2010)
Peculiarities of the influence of high- and low-energy proton and electron irradiations on the characteristics of silicon solar cells
за авторством: V. V. Chernenko
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. V. Chernenko
Опубліковано: (2010)
A systematic study of proton decay in superheavy elements
за авторством: M. G. Srinivas, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: M. G. Srinivas, та інші
Опубліковано: (2022)
A systematic study of proton decay in superheavy elements
за авторством: M. G. Srinivas, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: M. G. Srinivas, та інші
Опубліковано: (2022)
Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)
Integer quantum Hall effect and topological phase transitions in silicene
за авторством: Liu, Y.L., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Liu, Y.L., та інші
Опубліковано: (2017)
Схожі ресурси
-
Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2013) -
Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015) -
Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012) -
Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015) -
Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)