Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | V. V. Kuryliuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000690904 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)
Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)
Exciton spectroscopy with a spatially separated electron and a hole in a Ge/Si heterostructure with germanium quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2018)
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2018)
Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)
SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems
за авторством: V. P. Popov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. P. Popov, та інші
Опубліковано: (2013)
Seebeck's effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Raman scattering in superlattices with Ge quantum dots
за авторством: Yu. A. Romanyuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. A. Romanyuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Raman scattering in superlattices with Ge quantum dots
за авторством: Yu. A. Romaniuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. A. Romaniuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
за авторством: Popov, V. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Popov, V. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
за авторством: Попов, В.П., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Попов, В.П., та інші
Опубліковано: (2013)
Excitons formed from spatially separated electrons and holes in Ge/Si geterostructures with quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2016)
Двухкаскадные модули на основе Bi₂Te₃ и SiGe для термоэлектрических генераторов
за авторством: Михайловский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Михайловский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
Two-stage cascaded modules based on Bi2Te3 and SiGe for thermoelectric generators
за авторством: Ja. Mikhajlovskij, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ja. Mikhajlovskij, та інші
Опубліковано: (2013)
The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
Двухкаскадные модули на основе Bi2Te3 и SiGe для термоэлектрических генераторов
за авторством: Mikhailovsky, V. Ya., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mikhailovsky, V. Ya., та інші
Опубліковано: (2013)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)
Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots
за авторством: O. V. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. V. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of thermal annealing on the luminescent characteristics of CdSe/ZnSe quantum dot heterostructure
за авторством: L. V. Borkovska, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: L. V. Borkovska, та інші
Опубліковано: (2010)
Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)
The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
The raman spectra of porous alumina nanocomposite films with Si quantum dots
за авторством: V. V. Strelchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Strelchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of cation vacancy related defects on the self-assembly processes in CdSe/ZnSe quantum dot heterostructures
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2003)
Model of heterotransistor with quantum dots
за авторством: V. I. Timofeyev, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. I. Timofeyev, та інші
Опубліковано: (2010)
Model of heterotransistor with quantum dots
за авторством: Timofeyev, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Timofeyev, V.I., та інші
Опубліковано: (2010)
Exciton in closed and opened quantum dot
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Modelling of Electron States in Conical Quantum Dots
за авторством: N. L. Sosnytska, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: N. L. Sosnytska, та інші
Опубліковано: (2019)
Electronic characteristics of CdS quantum dots with defects
за авторством: I. M. Kupchak, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: I. M. Kupchak, та інші
Опубліковано: (2020)
Tunneling and magnetic properties of triple quantum dots
за авторством: Kikoin, K.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kikoin, K.
Опубліковано: (2007)
Electronic and magnetic properties of graphite quantum dots
за авторством: H. Abdelsalam, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: H. Abdelsalam, та інші
Опубліковано: (2015)
Electronic and magnetic properties of graphite quantum dots
за авторством: Abdelsalam, H., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Abdelsalam, H., та інші
Опубліковано: (2015)
Modelling of Electron States in Conical Quantum Dots
за авторством: Сосницька, Наталя Леонідівна, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Сосницька, Наталя Леонідівна, та інші
Опубліковано: (2019)
Enhancement of the Quantum Dot Luminescence in All-Dielectric Metamaterial
за авторством: V. V. Khardikov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Khardikov, та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013) -
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011) -
Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012) -
Exciton spectroscopy with a spatially separated electron and a hole in a Ge/Si heterostructure with germanium quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2018)