Boron-doped diamond single crystals for probes of the high-vacuum tunneling microscopy
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | A. P. Chepugov, A. N. Chajka, V. I. Grushko, E. I. Mitskevich, O. G. Lysenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Superhard Materials |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000695851 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Assessment of the resolution of scanning tunneling microscope with a tip of a boron-doped diamond
за авторством: O. G. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Theoretical study of tunnel current behaviour in scanning probe microscope with diamond tip
за авторством: V. Grushko, та інші
Опубліковано: (2011) -
Heat capacity of bulk boron doped single crystal HPHT diamonds in the temperature range from 2 to 400 K
за авторством: S. Tarelkin, та інші
Опубліковано: (2016) -
Heat capacity of bulk boron doped single crystal HPHT diamonds in the temperature range from 2 to 400 K
за авторством: Tarelkin, S., та інші
Опубліковано: (2016) -
HFCVD synthesis of boron-doped microcrystalline diamonds
за авторством: Tao Zhang, та інші
Опубліковано: (2019)