Semiconductor HPHT-diamonds as active elements of electronic devices: their structural and electronic properties
Збережено в:
Дата: | 2021 |
---|---|
Автори: | T. V. Kovalenko, A. S. Nikolenko, S. O. Ivakhnenko, V. V. Strelchuk, P. M. Lytvyn, I. M. Danylenko, O. O. Zanevskyi |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2021
|
Назва видання: | Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001313636 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Using digital microphotogrammetry for HPHT-diamond single crystals morphology analysis
за авторством: P. M. Lytvyn, та інші
Опубліковано: (2021) -
Diamond HPHT-crystallization on seed using carbon solvents formed by powder metallurgy methods
за авторством: T. V. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2022) -
Effect of temperature and alloy-solvent content on diamond crystallization in Mg-based systems for HPHT method
за авторством: T. V. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2020) -
Formation of the electrophysical properties of the polycrystals during hpht sintering of conductive diamond powders
за авторством: O. O. Bochechka, та інші
Опубліковано: (2016) -
Calculation of the temperature distribution at the HPHT growing of diamond single crystals in cells with two growth layers
за авторством: A. V. Burchenia, та інші
Опубліковано: (2017)