Modelling silicon solar element with p–n vertical shift
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | A. B. Gnilenko, V. A. Dzenzerskij, S. V. Plaksin, L. M. Pogorelaja |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Vidnovluvana energetika |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000720737 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Numerical analysis of aluminum nanoparticle influence on the characteristics of a thin-film solar cell
за авторством: A. B. Gnilenko, та інші
Опубліковано: (2019) -
Gunn Diode Millimetre-Wave Frequency Shift Mixer-Amplifier
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2013) -
Solar activity influence on vertical ozone redistribution over Antarctica
за авторством: Lozitsky, V.V.
Опубліковано: (2004) -
Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Solar cells based on multicrystalline silicon
за авторством: Popov, V.G.
Опубліковано: (2000)