Modelling silicon solar element with p–n vertical shift
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | A. B. Gnilenko, V. A. Dzenzerskij, S. V. Plaksin, L. M. Pogorelaja |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Vidnovluvana energetika |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000720737 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Numerical analysis of aluminum nanoparticle influence on the characteristics of a thin-film solar cell
за авторством: A. B. Gnilenko, та інші
Опубліковано: (2019) -
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2012) -
Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015) -
Solar activity influence on vertical ozone redistribution over Antarctica
за авторством: Lozitsky, V.V.
Опубліковано: (2004) -
Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)