Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | H. I. Synhaivska, V. V. Korotieiev |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2013
|
| Schriftenreihe: | Ukrainian Journal of Physics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725370 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
von: G. I. Syngayivska, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: G. I. Syngayivska, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Electron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
von: Syngayivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Syngayivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Elecron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
von: G. I. Syngayivska, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: G. I. Syngayivska, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Monte Carlo Simulation of hot electron effects in compensated GaN semiconductor at moderate electricfields
von: Syngaivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Syngaivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
von: G. I. Syngaivska, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: G. I. Syngaivska, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
von: Syngaivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Syngaivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
von: V. R. Stempitskij, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: V. R. Stempitskij, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures
von: Vitusevich, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Vitusevich, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
von: Kundu, J., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Kundu, J., et al.
Veröffentlicht: (2007)
The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
Comparison of electron transport in polar materials for the models of low-density and high-density electron gas. Application to bulk GaN
von: Korotyeyev, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Korotyeyev, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Extreme HT-HP conditions for activation of noticeable oxygen diffusion in GaN
von: B. Sadovyi, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: B. Sadovyi, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
One-dimensional warm electron transport in GaN quantum well wires at low temperatures
von: Sarkar, S.K.
Veröffentlicht: (2003)
von: Sarkar, S.K.
Veröffentlicht: (2003)
Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
von: J. O. Akinlami, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: J. O. Akinlami, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
von: Akinlami, J.O., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Akinlami, J.O., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2010)
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
von: Red’ko, S.M.
Veröffentlicht: (2015)
von: Red’ko, S.M.
Veröffentlicht: (2015)
MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
von: Onikienko, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Onikienko, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
von: S. M. Redko
Veröffentlicht: (2015)
von: S. M. Redko
Veröffentlicht: (2015)
Electrophysical сharacteristics of LEDs based on GaN epitaxial films
von: Oleksenko, P.Ph., et al.
Veröffentlicht: (1998)
von: Oleksenko, P.Ph., et al.
Veröffentlicht: (1998)
Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
von: Батаев, М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Батаев, М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances
von: V. V. Korotyeyev
Veröffentlicht: (2013)
von: V. V. Korotyeyev
Veröffentlicht: (2013)
Ähnliche Einträge
-
Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
von: G. I. Syngayivska, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Electron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
von: Syngayivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Elecron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
von: G. I. Syngayivska, et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Monte Carlo Simulation of hot electron effects in compensated GaN semiconductor at moderate electricfields
von: Syngaivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
von: G. I. Syngaivska, et al.
Veröffentlicht: (2018)