Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | H. I. Synhaivska, V. V. Korotieiev |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2013
|
| Schriftenreihe: | Ukrainian Journal of Physics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725370 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Electrical and high-frequency properties of compensated GaN under electron streaming conditions
von: G. I. Syngayivska, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Electron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
von: Syngayivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Elecron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
von: G. I. Syngayivska, et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
von: G. I. Syngaivska, et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Monte Carlo Simulation of hot electron effects in compensated GaN semiconductor at moderate electricfields
von: Syngaivska, G.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)