Electrophysical characteristics of near-surface layers in p-Si crystals with sputtered Al films and subjected to elastic deformation
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | B. V. Pavlyk, M. O. Kushlyk, R. I. Didyk, Y. A. Shykoriak, D. P. Slobodzian, Ya. Kulyk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725574 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electrophysical characteristics of near-surface layers in p-Si crystals with sputtered Al films and subjected to elastic deformation
за авторством: B. V. Pavlyk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering
за авторством: Zayats, M.S., та інші
Опубліковано: (2010) -
Evolution of the structure of Mo films obtained by magnetron sputtering on a-Si
за авторством: V. A. Sevrjukova, та інші
Опубліковано: (2011) -
Stydy on resistivity and micostructure of magnetron sputtered α-C:Si films
за авторством: Onoprienko, A.A., та інші
Опубліковано: (2006) -
Structural properties of nanocomposite SiO₂(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2011)