Зображення обкладинки

Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	T. A. Pagava, M. G. Beridze, N. I. Majsuradze, L. S. Chkhartishvili, I. G. Kalandadze
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2013
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725578
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015)

Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015)

Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)

Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)

Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)

NMR study of proton dynamics in ferroelectric KIO₃*2HIO₃ crystal
за авторством: Baisa, D.F., та інші
Опубліковано: (2008)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)

Monitoring system for proton beam transport to the irradiation facilitie
за авторством: Skorkin, V.M., та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Specific thermoemf and Hall-effect in crystals with monopolar conductivity
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)

Characteristics of ADS target irradiated by 200…400 MeV proton beam
за авторством: Svistunov, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2013-04-04)

Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (⁶⁰Co) n-Si crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2018)

Studying on a beam of protons film of alloy Si-Ge, received by method CVD
за авторством: I. K. Kovalchuk, та інші
Опубліковано: (2007)

Thermoelastic interactions in Al-n-Si-Ni structures at pulse laser irradiation
за авторством: Vorobets, G.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)

Experimental studies of the nuclear-physical characteristics of the extended uranium target irradiated by relativistic protons, deutrons and ¹²C nuclei
за авторством: Zhadan, A.A., та інші
Опубліковано: (2020)

Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (60Co) n-Si crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2018)

Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation
за авторством: Starzhinskiy, N.G., та інші
Опубліковано: (2005)

Thermal conductivity of molecular crystals with self-organizing disorder
за авторством: A. I. Krivchikov, та інші
Опубліковано: (2014)

Thermal conductivity of molecular crystals with self-organizing disorder
за авторством: A. I. Krivchikov, та інші
Опубліковано: (2014)

Hall effect studies in YBCO films
за авторством: Solovjov, A.L.
Опубліковано: (1998)

Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4+δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: T. B. Charikova, та інші
Опубліковано: (2011)

The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

The study of the influence of X-ray irradiation on dislocation characteristics in LiF crystals
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)

Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)

Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)

Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)

A systematic study of proton decay in superheavy elements
за авторством: M. G. Srinivas, та інші
Опубліковано: (2022)