Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | T. A. Pagava, M. G. Beridze, N. I. Majsuradze, L. S. Chkhartishvili, I. G. Kalandadze |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725578 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2013) -
Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015) -
Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012) -
Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2015) -
Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2012)