Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | D. V. Hamov, O. I. Hudymenko, V. P. Kladko, V. H. Lytovchenko, V. P. Melnyk, O. S. Oberemok, V. H. Popov, Yu. O. Polishchuk, B. M. Romaniuk, V. V. Chernenko, V. M. Nasieka |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725593 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)
AES and XPS characterization of TiN layers formed and modified by ion implantation
за авторством: Melnik, V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Melnik, V., та інші
Опубліковано: (1999)
Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation
за авторством: Yu. V. Holtvianskyi, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Yu. V. Holtvianskyi, та інші
Опубліковано: (2017)
Microhardness of helium-ion implanted iron-yttrium granate monocrystalline films
за авторством: V. V. Kurovets, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. V. Kurovets, та інші
Опубліковано: (2012)
Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: M. A. Lisovenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. A. Lisovenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: Lisovenko, M.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Lisovenko, M.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Distribution of chemical elements in the surface layer of the films implanted ions SI+ with yttrium iron garnet
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2014)
Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Formation of structural heterogeneity of the near-surface layer of films of iron-yttrium granatos by implantation of Si+ ions
за авторством: B. K. Ostafiichuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: B. K. Ostafiichuk, та інші
Опубліковано: (2011)
The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2019)
X-Ray Diffractometry of Lanthanum-Doped Iron—Yttrium Garnet Structures after Ion Implantation
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2013)
The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Surface photovoltage spectroscopy research of solar silicon recombination parameters
за авторством: V. H. Lytovchenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. H. Lytovchenko
Опубліковано: (2015)
Magnetic structure of subsurface layers of single crystalline yttrium-iron garnet films implanted with Si+ ions with various energies
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2012)
Nano-size phase formation at acoustically stimulated ion beam synthesis
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Magnetic structure of subsurface layers of single crystalline yttrium-iron garnet films implanted with Si+ ions with various energies
за авторством: Pylypiv, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Pylypiv, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2018)
Ion sources optimization for high energy ion implantation by computer simulation
за авторством: Litovko, I.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Litovko, I.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Be-ion-implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication, and characterization
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000)
The Influence of Plastic Deformation on the Defect-Impurity State and Magnetic Properties of Silicon (Cz-Si)
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)
Progress in riboon ion beam implantation systems development
за авторством: Masunov, E.S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Masunov, E.S., та інші
Опубліковано: (2010)
Properties of steel modified by surface ion implantation with Mo, Ti, and Al
за авторством: S. O. Kryvoruchko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: S. O. Kryvoruchko, та інші
Опубліковано: (2022)
Properties of steel modified by surface ion implantation with Mo, Ti, and Al
за авторством: S. O. Kryvoruchko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: S. O. Kryvoruchko, та інші
Опубліковано: (2022)
Implantation of deuterium and helium ions into composite structure with tantalum coating
за авторством: Bobkov, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bobkov, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of ion implantation on the phase transitions in Cu₆PS₅I superionic conductors
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2010)
Fast ion induced luminescence of silica implanted by molecular hydrogen
за авторством: Kalantaryan, O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kalantaryan, O., та інші
Опубліковано: (2014)
Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation
за авторством: Voznyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Voznyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: Fodchuk, І.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Fodchuk, І.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Investigations of characteristics of metal film based pyroelectric detectors implanted by Ar+ ions
за авторством: Lysyuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Lysyuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2002)
Optical properties of ion implanted thin Ni films on lithium niobate
за авторством: Lysiuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Lysiuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2011)
Optical properties of ion implanted thin Ni films on lithium niobate
за авторством: V. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Ion beam technologies of surface modification. I. Ion cleaning and high dose implantation
за авторством: V. A. Belous, та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: V. A. Belous, та інші
Опубліковано: (2003)
Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2010)
Activation of porous Si blue emission due to preanodization ion implantation
за авторством: Rozhin, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Rozhin, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)
Dopant depth profile modification during mass Spectrometric analysis of multilayer nanostructures
за авторством: O. O. Yefremov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. O. Yefremov, та інші
Опубліковано: (2015)
Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Схожі ресурси
-
Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013) -
AES and XPS characterization of TiN layers formed and modified by ion implantation
за авторством: Melnik, V., та інші
Опубліковано: (1999) -
Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation
за авторством: Yu. V. Holtvianskyi, та інші
Опубліковано: (2017) -
Microhardness of helium-ion implanted iron-yttrium granate monocrystalline films
за авторством: V. V. Kurovets, та інші
Опубліковано: (2012) -
Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: M. A. Lisovenko, та інші
Опубліковано: (2013)