Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | R. M. Rudenko, M. M. Krasko, V. V. Voitovych, A. H. Kolosiuk, Yu. Povarchuk, A. M. Kraichynskyi, V. O. Yukhymchuk, M. V. Voitovych, Ya. Bratus, I. A. Zaloilo |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725625 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon obtained by vapor deposition in vacuum
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2013)
Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon, obtained by vapor deposition in vacuum
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)
Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films
за авторством: Z. U. Dzhabua, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Z. U. Dzhabua, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)
Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)
Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)
Hydrogen behavior in bimetallic systems:permeation through thin metal films
за авторством: Glazunov, G.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Glazunov, G.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
Absorption of hydrogen by thin films
за авторством: V. V. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)
Influence of tin impurity on recombination characteristics in γ-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2012)
Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
Influence of tin impurity on degradation of conductivity in electron-irradiated n-Si
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. M. Krasko
Опубліковано: (2013)
Hydrogen saturation influence on erosion behavior of thin W-films under steady state nitrogen plasma impact
за авторством: Glazunov, G.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Glazunov, G.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Electrochemical oxidation of phenol on doped tin oxide
за авторством: D. V. Kolomytsev
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. V. Kolomytsev
Опубліковано: (2013)
Mechanisms of texture formation in thin-film systems Ni₁-xWx | TiN
за авторством: Sungurov, M.S., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sungurov, M.S., та інші
Опубліковано: (2018)
Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)
Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)
Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)
Thermoelectric properties of bismuth-doped tin telluride SnTe:Bi
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)
Thermoelectric properties of bismuth-doped tin telluride SnTe:Bi
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)
Doping the thin films by using the original Close Space Sublimation method
за авторством: V. S. Khomchenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. S. Khomchenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Structural properties of nanocomposite SiO₂(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2011)
Acetone vapor sensors based on tin dioxide doped by Au nanoparticles
за авторством: E. Ovodok, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: E. Ovodok, та інші
Опубліковано: (2022)
Acetone vapor sensors based on tin dioxide doped by Au nanoparticles
за авторством: E. Ovodok, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: E. Ovodok, та інші
Опубліковано: (2022)
Structural properties of nanocomposite SiO2(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2011)
Doping the thin films by using the original Close Space Sublimation method
за авторством: Khomchenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Khomchenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2020)
Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)
Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
Схожі ресурси
-
Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020) -
Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016) -
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)