Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | R. M. Rudenko, M. M. Krasko, V. V. Voitovych, A. H. Kolosiuk, Yu. Povarchuk, A. M. Kraichynskyi, V. O. Yukhymchuk, M. V. Voitovych, Ya. Bratus, I. A. Zaloilo |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000725625 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020) -
Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016) -
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)