Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | B. A. Nadzhafov, V. V. Dadashova |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000729028 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020) -
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020) -
Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Light scattering in silicon carbide nanocrystalline films
за авторством: Lopin, A.V.
Опубліковано: (2008)