Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | B. A. Nadzhafov, V. V. Dadashova |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000729028 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2014)
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2014)
Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Peculiarities of nanocrystalline silicon films growth on porous anodic alumina surface
за авторством: P. V. Parfenyuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. V. Parfenyuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films
за авторством: Z. U. Dzhabua, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Z. U. Dzhabua, та інші
Опубліковано: (2014)
Photoluminescence of nanocrystalline cdte, introduced into porous silicon
за авторством: H. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: H. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2021)
Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)
Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)
A new approach to increasing the sensitivity of a gas sensor based on nanocrystalline silicon carbide films
за авторством: A. Semenov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. Semenov, та інші
Опубліковано: (2021)
Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)
Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)
Characterization of Cobalt phthalocyanine thin film on silicon substrate using spectroscopic ellipsometry
за авторством: K. M. Al-Adamat, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: K. M. Al-Adamat, та інші
Опубліковано: (2021)
Characterization of Cobalt phthalocyanine thin film on silicon substrate using spectroscopic ellipsometry
за авторством: K. M. Al-Adamat, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: K. M. Al-Adamat, та інші
Опубліковано: (2021)
Microporous nanocrystalline V–N–He thin films. Fabrication method, structure, properties
за авторством: V. Bryk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. Bryk, та інші
Опубліковано: (2011)
Formation of nanocrystals and their properties during tin induced and laser light stimulated crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2019)
Tin-induced crystallization of amorphous silicon under pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)
Tin-induced crystallization of amorphous silicon under pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: S. I. Tiagulskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Tiagulskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Absorption of hydrogen by thin films
за авторством: V. V. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2015)
Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon, obtained by vapor deposition in vacuum
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)
Tin-induced crystallization of amorphous silicon assisted by a pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)
Changing the conductivity of porous silicon with silver nanoparticles/silicon structures when detecting hydrogen peroxide
за авторством: Yu. Kutova, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yu. Kutova, та інші
Опубліковано: (2018)
Ion synthesis of narrow-bandgap A3V5 semiconductor nanocrystals in silicon matrix for optoelectronics systems
за авторством: F. F. Komarov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: F. F. Komarov, та інші
Опубліковано: (2011)
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020) -
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020) -
Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)