Parameter optimization of thermoelectric material based on n-ZrNiSn intermetallic semiconductor
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | V. A. Romaka, Yu. V. Stadnyk, P. Rogl, V. V. Romaka, Ya. Krayovsky, O. I. Lakh, A. M. Horyn |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Journal of thermoelectricity |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000756217 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Effect of doping in n-ZrNiSn intermetallic semiconductor with Bi donor impurity on thermoelectric power factor Z*
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2012) -
Research on electrical conductivity mechanisms of thermoelectric material based on n-ZrNiSn doped with Ga
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2016) -
Optimization of parameters of the new thermoelectric material HfNiSn1–xSbx
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2014) -
Research on the ZR1-xVx NiSn thermoelectric material
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2018) -
Mechanism of defect formation in Zr1 – xVxNiSn thermoelectric material
за авторством: V. V. Romaka, та інші
Опубліковано: (2021)