Influence of neutron irradiation on the modulation processes of the base region of the silicon p+nn+-structure
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автор: | A. Z. Rakhmatov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000927298 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters
за авторством: Rakhmatov, A.Z., та інші
Опубліковано: (2012) -
Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001) -
Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013) -
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)