Зображення обкладинки

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	D. M. Jodgorova, A. V. Karimov, A. A. Karimov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2013
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928058
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Investigation of transient processes in a silicon p+pn+ structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+structures
за авторством: A. Z. Rakhmatov, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of neutron irradiation on the modulation processes of the base region of the silicon p+nn+-structure
за авторством: A. Z. Rakhmatov
Опубліковано: (2013)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

The technology of obtaining and studying heterostructural solar cells based on n-CdS/p-CdTe
за авторством: Sh. B. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)

Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023)

Modelling silicon solar element with p–n vertical shift
за авторством: A. B. Gnilenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
за авторством: Nasyrov, M.U., та інші
Опубліковано: (2015)

Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
за авторством: Nasyrov, M.U., та інші
Опубліковано: (2015)

Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
за авторством: M. U. Nasyrov, та інші
Опубліковано: (2015)

Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)

Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)

Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures
за авторством: R. A. Mumimov, та інші
Опубліковано: (2010)

Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures
за авторством: Mumimov, R.A., та інші
Опубліковано: (2010)

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Current flow mechanisms in p-i-n structures based on cadmium telluride
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2002)

Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

Equicontinuity of plane homeomorphisms with controlled p-module
за авторством: A. Golberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Model of the grain boundary in p-n-structures based on polycrystalline semiconductors
за авторством: L. O. Olimov
Опубліковано: (2010)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of &quot;deep&quot; p–n-junction
за авторством: A. V. Kozinetz, та інші
Опубліковано: (2017)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of &quot;deep&quot; p–n-junction
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)