Зображення обкладинки

Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	L. O. Olimov, M. Mujdinova, F. L. Omonboev
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2013
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928060
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010)

Switching of current and voltage when heating non-transition polycrystalline silicon doped with alkali metals in the region of grain boundaries
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Model of the grain boundary in p-n-structures based on polycrystalline semiconductors
за авторством: L. O. Olimov
Опубліковано: (2010)

Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)

Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)

The process of forming the polycrystalline silicon wafer from the powder raw material and analyzing the impurity composition of their surface
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2011)

Grain boundaries and their influence on the properties of polycrystalline materials. Part 2.
за авторством: O. D. Vasyliev, та інші
Опубліковано: (2018)

Properties of diamond polycrystalline composite material obtained in the diamond-graphene-silicon system
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)

The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films
за авторством: F. D. Kasimov, та інші
Опубліковано: (2002)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Grain boundaries and their influence on the properties of polycrystalline materials. Part 1 (survey)
за авторством: O. D. Vasyliev, та інші
Опубліковано: (2018)

Retarding of intergranular fracture of centryfugal casting steel 40Cr25Ni20Si2 by secondary boundaries
за авторством: S. I. Gubenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Resistive and magnetoresistive properties of compacted CrO2 powders with different types of intergranular dielectric layers
за авторством: N. V. Dalakova, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of arc surfacing modes on intergranular penetration of high tin bronze into steel
за авторством: T. B. Majdanchuk, та інші
Опубліковано: (2018)

Electrical properties of ZrO₂ in nano- and polycrystalline states at high pressure
за авторством: Korionov, I.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
за авторством: I. G. Pashaev
Опубліковано: (2012)

Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)

Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2011)

Specifics of intergranular mass transfer of gallium in aluminium alloy in sold-state activation of surfaces being joined
за авторством: Ju. A. Khokhlova, та інші
Опубліковано: (2011)

Corrosion properties of electrodeposited polycrystalline silver thin coatings
за авторством: O. L. Bersirova, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Polarization correlometer of phase maps of laser-induced images of supramolecular networks of polycrystalline blood films in the diagnostics of volume of blood loss
за авторством: Yu. O. Ushenko, та інші
Опубліковано: (2024)

Creation of spatial quantum filaments in the volume of monocrystalline silicon by the coulomb explosion
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010)

Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)

Scintillation and optical properties of polycrystalline p-terphenyl
за авторством: Gorbacheva, T.E., та інші
Опубліковано: (2013)

Study of scintillation and optical properties of polycrystalline stilbene
за авторством: Gorbacheva, T.E., та інші
Опубліковано: (2011)

The effect of SiO2 microparticle concentration on the electrical and thermal properties of silicone rubber for electrical insulation applications
за авторством: Ahmed, Z., та інші
Опубліковано: (2025)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

Some Issues of Kinetic Theory of Radiation-Accelerated Boundary Diffusion in Polycrystalline Materials with Impurities
за авторством: E. A. Smirnov
Опубліковано: (2013)

Variational method for the solution of nonlinear boundary-value problems of the dynamics of bounded volumes of liquid with variable boundaries
за авторством: I. O. Lukovskyi
Опубліковано: (2018)

Properties of the volume phase in the layerwise growth. Case of origin of new phase above phase boundary at previous layer
за авторством: Brodskii, R.Ye.
Опубліковано: (2018)

Features of electrical charge transfer in porous silicon
за авторством: Monastyrskii, L.S.
Опубліковано: (2001)