Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | Sh. A. Mirsagatov, A. S. Achilov, B. N. Zaverjukhin |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2013
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928061 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Sublinear reverse current-voltage characteristics of thick film structures based on CdTe
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005) -
Thin-film solar converters based on the p-Cu₁.₈S/n-CdTe surface-barrier structure
за авторством: Bobrenko, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2015) -
Contact electrodeposition of CdTe thin films
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2009)