Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автор: | I. B. Sapaev |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928062 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры
за авторством: Сапаев, И.Б.
Опубліковано: (2013) -
Urbach’s rule peculiarities in structures with CdSxSe₁₋x nanocrystals
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2002) -
Low-temperature photoluminescence of thin CdTe, CdTe:In films with an anomalous photovoltaic property
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2010) -
Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe1-x quantum dots
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2010)