Зображення обкладинки

Investigations of the temperature dependence of the width prohibited zone Si and Ge using the model

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автор:	Ju. Sharibaev
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2013
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928063
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

The thermal broadening of the density of states and the temperature dependence of the width of the forbidden zone
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012)

The temperature dependence of the width of the forbidden band of Si and the relation to the thermal broadening of the density of states
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012)

The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2011)

Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)

Prohibited Literature
за авторством: G. Lomidze
Опубліковано: (2023)

The temperature dependence of the density of surface states, determined using unsteady capacitive spectroscopy
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2010)

Prohibition in structure of law reality
за авторством: A. V. Skorobogatov, та інші
Опубліковано: (2016)

Types of prohibitions in labour law
за авторством: O. A. Petrenko
Опубліковано: (2015)

The temperature dependence of the band GAPSi
за авторством: G. Guliamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Development of retroactive criminal law prohibition
за авторством: Sh. Babanly
Опубліковано: (2014)

Environmental management in the treatment of unsuitable and prohibited the use of chemicals to protect plants
за авторством: N. O. Khyzhniakova, та інші
Опубліковано: (2011)

Temperature dependence of the density of state in a strong quantizing magnetic field
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2014)

Dependence of Kolmogorov Widths on the Ambient Space
за авторством: Oikhberg, T., та інші
Опубліковано: (2013)

Dependence of Kolmogorov Widths on the Ambient Space
за авторством: T. Oikhberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Prohibited Books in the library of the Dominican monastery in the city of Jarosław
за авторством: N. T. Loshtyn
Опубліковано: (2016)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Influence of elastic deformation on local current characteristics of separate Ge nanoclusters on Si investigated by conducting atomic force microscopy
за авторством: Ju. Rubezhanskaja
Опубліковано: (2012)

Signs, prohibitions and instructions of Pokuttia`s population (at the example of winter holiday`s cycle)
за авторством: O. Serebriakova
Опубліковано: (2017)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)

Temperature dependence of dielectric properties of the liquid crystal 6CB with the embedded Ag₇GeS₅I nanoparticles
за авторством: Poberezhets, S.I., та інші
Опубліковано: (2020)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals
за авторством: Budzulyak, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)

The concept, essence and role of legal prohibitions and restrictions in the prevention and combat of corruption in Ukraine
за авторством: Yu. B. Irkha
Опубліковано: (2022)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)

Influence of the effective mass of the state density on the temperature dependence of the band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Urbach’s edge of glassy HgSe-GeSe₂ alloys: static disorder and temperature dependence of optical absorption
за авторством: Bozhko, V.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Analysis of the dependence of the number of allocated systems of lineaments on the grouping interval width
за авторством: Ja. Khodorovskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Гниленко, А.Б., та інші
Опубліковано: (2015)