Investigations of the temperature dependence of the width prohibited zone Si and Ge using the model
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автор: | Ju. Sharibaev |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928063 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
The thermal broadening of the density of states and the temperature dependence of the width of the forbidden zone
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012) -
The temperature dependence of the width of the forbidden band of Si and the relation to the thermal broadening of the density of states
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012) -
The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2011) -
Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016) -
Prohibited Literature
за авторством: G. Lomidze
Опубліковано: (2023)