Зображення обкладинки

Tensoresistive effect in the system of potential barriers in semiconductor films

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	G. Guljamov, A. G. Guljamov, G. N. Mazhidova
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2013
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928066
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Phase portraits of deformation effects in semiconductors in the pulsed mode
за авторством: M. G. Dadamirzaev, та інші
Опубліковано: (2012)

The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2011)

On the methodology of determining the transverse tensoresistance in multi-valley semiconductors
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2022)

The dependence of the concentration of excess electrons (Δn) from variable strain (ε) in semiconductors
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2014)

Phase portraits of deformation effects on strain-sensitive Bi2Te3 and Sb2Te3 films
за авторством: Kh. Shamirzaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Tensoresistivity properties of film materials base on Ni and Mo or Cr
за авторством: I. P. Buryk, та інші
Опубліковано: (2009)

Tensoresistance of amorphous ferromagnetics
за авторством: M. P. Semenko, та інші
Опубліковано: (2009)

Features of tensoresistive properties of thin metallic films under elastic and plastic deformations
за авторством: D. V. Velykodnyi, та інші
Опубліковано: (2011)

The theory of APV effect with dember mechanisms in semiconductor films
за авторством: G. A. Nabiev
Опубліковано: (2008)

Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2012)

Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2012)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)

Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)

The temperature dependence of the width of the forbidden band of Si and the relation to the thermal broadening of the density of states
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012)

The temperature dependence of the density of surface states, determined using unsteady capacitive spectroscopy
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2010)

Features of carrier scattering by intercrystalline potential barriers formed by electron surface states in polycrystalline semiconductors
за авторством: Sh. B. Atakulov, та інші
Опубліковано: (2010)

Spatial characterization of the edge barrier in wide superconducting thin films
за авторством: A. G. Sivakov, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of the effective mass of the state density on the temperature dependence of the band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Growth of crystals with bent crystalline lattice in amorphous semiconductor films
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2008)

On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2019)

The thermal broadening of the density of states and the temperature dependence of the width of the forbidden zone
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2012)

Temperature dependence of the density of state in a strong quantizing magnetic field
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2014)

Pyroelectric response of inhomogeneous ferroelectric-semiconductor films
за авторством: Morozovska, A.N.
Опубліковано: (2007)

Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Single-photon superradiance in a single-crystal semiconductor film in the saturation mode
за авторством: A. G. Moiseev, та інші
Опубліковано: (2018)

Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
за авторством: Andreyeva, N.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (60Co) n-Si crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2018)

Stochastic resonance at diffusion over potential barrier
за авторством: V. M. Kolomietz, та інші
Опубліковано: (2013)

Determination of potential distribution in a three-barrier structure
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Influence of Depletion Transition Layers on Surface Polaritons in Semiconductor Films
за авторством: Beletskij, N. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Sepiolite-zeolite composites as potential reactivity waterproof barriers
за авторством: O. V. Pushkarov, та інші
Опубліковано: (2014)

Scattering matrix in the DKP theory. Barrier potential case
за авторством: B. Boutabia-Chйraitia, та інші
Опубліковано: (2014)

Scattering matrix in the DKP theory. Barrier potential case
за авторством: B. Boutabia-Chйraitia, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Impact of tariff and non-tariff barriers on export potential of Ukraine
за авторством: L. A. Peretiatko
Опубліковано: (2016)

Thin-film heterostructures based on conducting polymers and organic semiconductors
за авторством: Vertsimakha, Ya.I., та інші
Опубліковано: (2009)

Charge transport in superconducting heterostructures MoRe–Si(W)–MoRe with hybrid semiconductor barrier with metal nanoclusters
за авторством: V. E. Shaternik, та інші
Опубліковано: (2017)

Thin-film solar converters based on the p-Cu1. 8S/n-CdTe surface-barrier structure
за авторством: Yu. N. Bobrenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Thermoregulatory mechanisms of activation of blood-brain barrier and hematosalivary barrier during cold stopping of stress-induced periodontal damages
за авторством: G. V. Malysheva
Опубліковано: (2005)