Buchumschlag

Tensoresistive effect in the system of potential barriers in semiconductor films

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	G. Guljamov, A. G. Guljamov, G. N. Mazhidova
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2013
Schriftenreihe:	Physical surface engineering
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000928066
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Phase portraits of deformation effects in semiconductors in the pulsed mode
von: M. G. Dadamirzaev, et al.
Veröffentlicht: (2012)

The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor
von: G. Guljamov, et al.
Veröffentlicht: (2011)

The dependence of the concentration of excess electrons (Δn) from variable strain (ε) in semiconductors
von: G. Guljamov, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Phase portraits of deformation effects on strain-sensitive Bi2Te3 and Sb2Te3 films
von: Kh. Shamirzaev, et al.
Veröffentlicht: (2011)

On the methodology of determining the transverse tensoresistance in multi-valley semiconductors
von: H. P. Haidar
Veröffentlicht: (2022)

Tensoresistivity properties of film materials base on Ni and Mo or Cr
von: I. P. Buryk, et al.
Veröffentlicht: (2009)

Tensoresistance of amorphous ferromagnetics
von: M. P. Semenko, et al.
Veröffentlicht: (2009)

The theory of APV effect with dember mechanisms in semiconductor films
von: G. A. Nabiev
Veröffentlicht: (2008)

Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
von: S. V. Luniov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect
von: S. V. Lunov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Features of tensoresistive properties of thin metallic films under elastic and plastic deformations
von: D. V. Velykodnyi, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
von: O. A. Abdulkhaev, et al.
Veröffentlicht: (2011)

The temperature dependence of the width of the forbidden band of Si and the relation to the thermal broadening of the density of states
von: G. Guljamov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

The temperature dependence of the density of surface states, determined using unsteady capacitive spectroscopy
von: G. Guljamov, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
von: S. I. Vlasov, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
von: Vlasov, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
von: Baranskii, P.I., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
von: P. I. Baranskii, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Spin polarization in semimagnetic semiconductor two barrier spin filters
von: Lev, S.B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Features of carrier scattering by intercrystalline potential barriers formed by electron surface states in polycrystalline semiconductors
von: Sh. B. Atakulov, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Influence of the effective mass of the state density on the temperature dependence of the band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey
von: G. Guljamov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

The influence of single barrier semimagnetic semiconductor spin filter on electrons spin polarization
von: Vertsimakha, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Spatial characterization of the edge barrier in wide superconducting thin films
von: A. G. Sivakov, et al.
Veröffentlicht: (2018)

The thermal broadening of the density of states and the temperature dependence of the width of the forbidden zone
von: G. Guljamov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Temperature dependence of the density of state in a strong quantizing magnetic field
von: G. Guljamov, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Growth of crystals with bent crystalline lattice in amorphous semiconductor films
von: Bagmut, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Pyroelectric response of inhomogeneous ferroelectric-semiconductor films
von: Morozovska, A.N.
Veröffentlicht: (2007)

Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
von: H. P. Haidar
Veröffentlicht: (2019)

Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (⁶⁰Co) n-Si crystals
von: Gaidar, G.P.
Veröffentlicht: (2018)

Single-photon superradiance in a single-crystal semiconductor film in the saturation mode
von: A. G. Moiseev, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Stochastic resonance at diffusion over potential barrier
von: V. M. Kolomietz, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
von: Andreyeva, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (60Co) n-Si crystals
von: G. P. Gaidar
Veröffentlicht: (2018)

On the theory of scalar pair production by a potential barrier
von: Nikishov, A.I.
Veröffentlicht: (2001)

Polarization and angular peculiarities of IR emission of thin film semiconductor structures
von: Kollyukh, O.G., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Determination of potential distribution in a three-barrier structure
von: Yodgorova, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Sepiolite-zeolite composites as potential reactivity waterproof barriers
von: O. V. Pushkarov, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Scattering matrix in the DKP theory. Barrier potential case
von: B. Boutabia-Chйraitia, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Scattering matrix in the DKP theory. Barrier potential case
von: B. Boutabia-Chйraitia, et al.
Veröffentlicht: (2014)