Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | I. V. Mintianskyi, P. I. Savytskyi, Z. D. Kovaliuk |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2013
|
| Schriftenreihe: | Physical surface engineering |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000929028 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
von: I. V. Mintianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: I. V. Mintianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Investigation of the interaction of lithium with n-InSe: spectra of inpedance and X-ray diffraction
von: S. V. Havryliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: S. V. Havryliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
von: Z. D. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Z. D. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
von: Tkachuk, I.G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Tkachuk, I.G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Створення гетероструктури n-InSe-графіт
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>
von: Іващишин, Ф.О., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Іващишин, Ф.О., et al.
Veröffentlicht: (2017)
The effect of the introduction of NI2+ ions on the properties of InSe layered crystals
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
von: Bercha, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Bercha, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe
von: Мінтянський, І.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Мінтянський, І.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2011)
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Direct current transport mechanisms in n-InSe/p-CdTe heterostructure
von: Gorley, P.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Gorley, P.M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
von: Zaslonkin, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Zaslonkin, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe &lt; RbNO3&gt;
von: V. V. Netjaga, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: V. V. Netjaga, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2022)
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Electrochemical impedance spectroscopy of current sources Li/Cu4Bi6S11
von: Z. D. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Z. D. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledzyuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. B. Boledzyuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
von: Katerynchuk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Katerynchuk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Electrical properties of InSe and Bi2Te3 layered single crystals intercalated with C3H8O3
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Light absorption by excited exciton states in layered InSe crystals
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
von: G. V. Lashkarev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: G. V. Lashkarev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
von: Lashkarev, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Lashkarev, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Дослідження взаємодії літію з n-InSe: спектри імпедансу та рентгенівської дифракції
von: Гаврилюк, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Гаврилюк, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ähnliche Einträge
-
Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
von: I. V. Mintianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Investigation of the interaction of lithium with n-InSe: spectra of inpedance and X-ray diffraction
von: S. V. Havryliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)