Valkov, V. I., & Golovchan, A. V. (2013). Electronic mechanism of spontaneous magnetostriction in the layered system Mn2–xFexAs0.5P0.5.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Valkov, V. I., та A. V. Golovchan. Electronic Mechanism of Spontaneous Magnetostriction in the Layered System Mn2–xFexAs0.5P0.5. 2013.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Valkov, V. I., та A. V. Golovchan. Electronic Mechanism of Spontaneous Magnetostriction in the Layered System Mn2–xFexAs0.5P0.5. 2013.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.